STRUMENTAZIONE E MISURE PER LA MICROELETTRONICA

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L’integrazione di circuiti CMOS richiede la realizzazione di coppie di transistori complementari, a canale n (NMOS) e a canale p (PMOS) sul medesimo substrato. D’altra parte, a
partire da un substrato di un certo tipo (p o n) si puo’ tuttavia realizzare un solo tipo di transistore (NMOS o PMOS); il primo passo per poter integrare l’altro e’ dunque quello di drogare localmente il substrato: la zona con drogaggio opposto a quella del substrato originale prende
il nome di well.