CARATTERIZZAZIONE DEL SILICIO MACROPOROSO COME SUBSTRATO PER COMPONENTI A RADIOFREQUENZA INTEGRATI

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Si tenta di risolvere i problemi dell’integrazione di componenti passivi su Silicio studiando un particolare substrato di macropori. Questa struttura risulta essere stabile meccanicamente e puo’ essere molto profonda garantendo cosi’una maggiore riduzione delle perdite, inoltre i processi per realizzare il Silicio Macroporoso sono tutti compatibili con le tecnologie standard (CMOS e BiCMOS).