SIMULAZIONE DI MEMORIE SONOS REALIZZATE SU STRUTTURA FINFET PER FLASH DI TIPO NOR

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Le memorie non volatili a gate flottante rappresentano uno dei principali prodotti dell'industria microelettronica e la possibilità di ridurne le dimensioni ha contribuito enormemente allo sviluppo di sistemi elettronici portatili. In questo settore la memoria Flash occupa un ruolo di primo piano. E' chiaro che significative modifiche nella struttura del MOSFET a gate flottante saranno necessarie per garantire le prestazioni di ritenzione delle'informazione per tecnologie con dimensione minima inferiore ai 50 nm. Questo ha indotto la comunità scientifica e industriale ad intensificare la ricerca, promuovendo l'introduzione di nuovi matreriali e strutture per la cella elementare. In questo contesto si inserisce il seguente lavoro di tesi, che ha come obiettivo lo studio di una celle di memoria Flash avente al suo interno un nuovo dispositivo: il FinFET.